高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
| 分野 | 加工・デバイスプロセス分野 |
| 機器ID | NU-238 |
| 装置名 | 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 / High temperature ICP plasma etching |
| メーカー名 | 自作 / Lab made |
| 型番 | |
| 大分類（第1） |
膜加工・エッチング |
| 中分類（第1） |
プラズマエッチング |
| キーワード | 塩素エッチング |
| 設置場所 | 名古屋大学東山キャンパス 低温プラズマ科学研究センター |
・高温でのCl2，BCl3プラズマエッチングプロセス
・基板温度：200℃-600℃
・使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2